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J-GLOBAL ID：201202258002017398   整理番号：12A0929946

有機金属気相エピタクシー成長時のAlN(0001)表面上の吸着原子運動学のab initio法に基づく研究

Ab initio-based study for adatom kinetics on AlN(0001) surfaces during metal-organic vapor-phase epitaxy growth

著者 (3件)： AKIYAMA Toru (Dep. of Physics Engineering, Mie Univ., 1577 Kurima-Machiya, Tsu 514-8507, JPN) ,  NAKAMURA Kohji (Dep. of Physics Engineering, Mie Univ., 1577 Kurima-Machiya, Tsu 514-8507, JPN) ,  ITO Tomonori (Dep. of Physics Engineering, Mie Univ., 1577 Kurima-Machiya, Tsu 514-8507, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 25  ページ： 251601-251601-3  発行年： 2012年06月18日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 成長条件下の再構成AlN(0001)表面上のAlとNの吸着原子の運動学を第一原理擬ポテンシャル計算により調べた。Al吸着原子の吸着は表面再構成に強く依存するが,その拡散は再構成に影響さらないことを計算で明らかにした。N過剰条件下の表面上のAl吸着原子の吸着はH過剰条件下よりも遥かに容易である。これらの結果は有機金属気相エピタクシー(MOVPE)時のAlNの成長がH過剰条件よりもN過剰条件下で顕著であることを示唆し,実験で報告されている成長速度の差と一致する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MOCVD ,  *原子 ,  *窒化アルミニウム ,  ab initio法 ,  第一原理 ,  擬ポテンシャル法 ,  表面再構成 ,  *薄膜成長 ,  アルミニウム ,  窒素
準シソーラス用語： *吸着原子

分類 (2件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 有機金属気相エピタクシー ,  成長 ,  AlN ,  吸着原子 ,  運動学 ,  研究