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J-GLOBAL ID：201202258038355788   整理番号：12A0340894

非磁性共ドーピングによるアモルファスGe:Mn薄膜の磁気および電気特性の向上

Enhanced magnetic and electrical properties in amorphous Ge:Mn thin films by non-magnetic codoping

著者 (9件)： YIN Wenjing (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Virginia, Charlottesville, Virginia 22904, USA) ,  KELL Copeland D. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Virginia, Charlottesville, Virginia 22904, USA) ,  HE Li (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, New York 12180, USA) ,  DOLPH Melissa C. (Dep. of Physics, Univ. of Virginia, Charlottesville, Virginia 22904, USA) ,  DUSKA Chris (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Virginia, Charlottesville, Virginia 22904, USA) ,  LU Jiwei (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Virginia, Charlottesville, Virginia 22904, USA) ,  HULL Robert (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, New York 12180, USA) ,  FLORO Jerrold A. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Virginia, Charlottesville, Virginia 22904, USA) ,  WOLF Stuart A. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Virginia, Charlottesville, Virginia 22904, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 3  ページ： 033916  発行年： 2012年02月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超高真空分子ビームエピタキシー装置を用いてSiO₂/SiにGeとMnを共蒸着することによりアモルファスGe_1-xMn_x薄膜を作製した。成長温度とMn濃度(2.8at.%,10.9at.%および21.3at.%)のある範囲で,非磁性共ドーパントを膜に分散させることにより磁気特性と電気特性を向上させることができた。アモルファスGe母体内に,孤立ナノクラスターあるいはナノコラムのいずれかとする,Mn濃度に依存する自己集合Mn-リッチアモルファスナノ構造を見出した。強磁性飽和モーメントはMn濃度とともに増大し,as-grown試料において最大0.7μ_B/Mnに達することが分かった。これらのアモルファスMBE成長試料において15Kおよび200K付近に二つの磁気転移温度が観測された。保磁力については局所磁気異方性の見地から考察した。異常ホール効果により磁化と輸送特性の強い相関が確認されたが,これは全体の強磁性結合が直接交換相互作用よりキャリアを媒介とすることを示す。さらに,5Kから室温まで負の磁気抵抗を検出した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ゲルマニウム合金 ,  *マンガン含有合金 ,  *非晶質合金 ,  *薄膜 ,  *磁気的性質 ,  *電気特性 ,  *ドーピング ,  MBE成長 ,  ゲルマニウム ,  マンガン ,  同時蒸着 ,  温度 ,  濃度 ,  ナノクラスタ ,  ナノ構造 ,  柱状晶 ,  自己集合 ,  強磁性 ,  飽和磁化 ,  磁気モーメント ,  転移温度 ,  保磁力 ,  磁気異方性 ,  異常Hall効果 ,  磁化 ,  特性 ,  キャリア ,  交換相互作用 ,  磁気抵抗 ,  二次イオン質量分析 ,  透過型電子顕微鏡 ,  温度依存性 ,  電気抵抗 ,  キャリア密度 ,  *不純物 ,  酸素 ,  窒素
準シソーラス用語： SIMS分析 ,  TEM【顕微鏡】 ,  *アモルファス合金 ,  キャリアー濃度 ,  ナノコラム ,  *共ドーピング ,  共蒸着 ,  磁化曲線 ,  磁気転移温度 ,  *磁気特性 ,  成長温度 ,  *非磁性不純物 ,  輸送特性

分類 (2件)： 非晶質・液体金属の電子伝導  (BM03032V) ,  金属のランダム磁性  (BM06082T)

タイトルに関連する用語 (8件)： 非磁性 ,  共ドーピング ,  アモルファス ,  Ge ,  Mn ,  薄膜 ,  磁気 ,  電気特性