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J-GLOBAL ID：201202258110892351   整理番号：12A0362727

イオンビーム照射によるポリジメチルシロキサン層上での液晶配列に関する酸化状態の研究

Oxidation state investigation concerning liquid crystal alignment on polydimethylsiloxane layer by ion beam irradiation

著者 (7件)： YANG Seok (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Jong-Jin (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Hee-Jun (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  KANG Young-Gu (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Hyung-Jun (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  JUNG Hae-Yoon (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  SEO Dae-Shik (Yonsei Univ., Seoul, KOR)
資料名： Liquid Crystals  (Liquid Crystals)
巻： 39  号： 1  ページ： 71-75  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： E0179C  ISSN： 0267-8292  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオンビーム入射角によるポリジメチルシロキサン(PDMS)層上の液晶配列能力と電気光学性能について報告した。信頼性ある均一な液晶配列が達成されるので,入射角が30~60°の範囲のイオンビーム照射が魅力的である。PDMS表面のO 1s及びSi 2p内殻準位XPSスペクトルにより,均一な液晶配列の機構が確認された。XPSデータからイオンビーム入射角によりケイ素の酸化レベルが変わることが分かった。PDMS表面上の非局在化電子によって生じたvan der Waals力はイオンビーム照射の方向のSi-C結合の選択的破壊による液晶配列に起因することが分かった。

シソーラス用語： イオンビーム ,  *イオン照射 ,  *ポリジメチルシロキサン ,  *液晶 ,  *配列 ,  状態 ,  入射角 ,  電気光学効果 ,  内殻準位 ,  *X線光電子スペクトル ,  ケイ素 ,  van der Waals力 ,  化学結合 ,  開裂反応 ,  ネマチック相 ,  傾斜角 ,  偏光顕微鏡
準シソーラス用語： PDMS【重合体】 ,  Si-C結合 ,  *イオンビーム照射 ,  プレチルト角 ,  結合開裂 ,  酸化状態 ,  非局在化 ,  *分子配列

分類 (3件)： 高分子固体のその他の性質  (CG02025L) ,  有機けい素化合物  (CF08030C) ,  ネマチック相  (BK03020W)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオンビーム照射 ,  ポリジメチルシロキサン ,  液晶 ,  酸化状態 ,  研究