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J-GLOBAL ID：201202258218636220   整理番号：12A1398052

InGaAs HEMT中のプラズマ増強テラヘルツ整流と雑音

Plasma Enhanced Terahertz Rectification and Noise in InGaAs HEMTs

著者 (2件)： MATEOS Javier (Universidad de Salamanca, Salamanca, ESP) ,  GONZALEZ Toms (Universidad de Salamanca, Salamanca, ESP)
資料名： IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology  (IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology)
巻： 2  号： 5  ページ： 562-569  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： W2304A  ISSN： 2156-342X  CODEN： ITTSBX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究では,InGaAs HEMT中に存在する高周波協同現象を探索したが,それは電流雑音スペクトルにピークを作り,テラヘルツへの直流応答を増し,交流信号の整流において共振を発生させる。この現象は最近の実験でプラズマ波共振の結果としてテラヘルツ検出ができたことで実証された。この論文では,二次元モンテカルロシミュレーションにより,現実のHEMTの構成も考慮して素子の雑音スペクトルと交流-直流整流特性を計算し,ソース-ゲート領域の二か所でのプラズマ振動の性質と結びつけたが,それは保護膜を被せた個所とチャネルの隅の部分である。

シソーラス用語： 電磁波 ,  *HEMT ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  *協同現象 ,  雑音 ,  *整流 ,  共振 ,  プラズマ ,  *テラヘルツ波
準シソーラス用語： *テラヘルツ ,  電流雑音

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： InGaAs ,  HEMT ,  プラズマ ,  増強 ,  テラヘルツ ,  整流 ,  雑音