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J-GLOBAL ID：201202258239963930   整理番号：12A1466443

HKMG MOSFETsのNおよびP BRIの一貫した物理的構成

A Consistent Physical Framework for N and P BTI in HKMG MOSFETs

著者 (4件)： JOSHI Kaustubh (Indian Inst. Technol. Bombay, Mumbai, IND) ,  MUKHOPADHYAY Subhadeep (Indian Inst. Technol. Bombay, Mumbai, IND) ,  GOEL Nilesh (Indian Inst. Technol. Bombay, Mumbai, IND) ,  MAHAPATRA Souvik (Indian Inst. Technol. Bombay, Mumbai, IND)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2012 Vol.1  ページ： 421-430  発行年： 2012年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トラップ生成およびトラッピングの共通構成を使用して負および正バイアス温度不安定性(PNTI)DCおよびACストレス/回復データを説明した。トラップ生成およびトラッピングは高k金属ゲート(HKMG)MOSFETsのNおよびP BTIの両方を支配する。HKMG NBTIはILのトラップの生成とトラッピングにより,SiON NBTIに類似する。反応拡散(RD)モデル主導NBTI構成はDCおよびAC NBTIデータの予測用のSiONおよびHKMGの両方に適用される。

シソーラス用語： 熱安定性 ,  不安定性 ,  *MOSFET ,  誘電率 ,  ゲート【半導体】 ,  構成 ,  電子 ,  捕獲 ,  反応拡散系 ,  ストレス
準シソーラス用語： 正バイアス温度不安定性 ,  負バイアス温度不安定性 ,  高誘電率 ,  金属ゲート ,  電圧ストレス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (1件)： 物理