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J-GLOBAL ID：201202258405297242   整理番号：12A1206469

Cuインターコネクトに対するTiベース自己形成障壁とTa/TaN障壁における酸素誘起障壁崩壊

Oxygen-Induced Barrier Failure in Ti-Based Self-Formed and Ta/TaN Barriers for Cu Interconnects

著者 (7件)： ITO K. (Kyoto Univ., Uji, JPN) ,  KOHAMA K. (Kyoto Univ., Uji, JPN) ,  HAMASAKA K. (Kyoto Univ., Uji, JPN) ,  SONOBAYASHI Y. (Kyoto Univ., Uji, JPN) ,  SASAKI N. (Kyoto Univ., Uji, JPN) ,  SHIRAI Y. (Kyoto Univ., Uji, JPN) ,  MURAKAMI M. (Ritsumeikan Trust)
資料名： Annual Report of Quantum Science and Engineering Center  (Annual Report of Quantum Science and Engineering Center)
巻： 14  ページ： 83-90  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： L6689A  ISSN： 1345-0700  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TiO_x自己形成障壁(SFB)を利用したCuインターコネクトでのエレクトロマイグレーション劣化はCu/界面でのCu酸化に起因すると思われる。このことを確証するために,TiO_xのSFBと通常のTa/TaN障壁に堆積させたCu膜を種々の酸素濃度の雰囲気中でアニールした。障壁形態および酸化物形成に関係する組成変化を調べ,障壁周辺に形成される酸化物をTEM,RSBとXPSを用いて同定した。2つのタイプの障壁で得られた実験結果について論じた。

シソーラス用語： *配線 ,  障壁 ,  酸化チタン ,  *エレクトロマイグレーション ,  Rutherford後方散乱 ,  銅 ,  酸化銅 ,  電子顕微鏡観察 ,  タンタル ,  タンタル化合物 ,  窒化物 ,  焼なまし
準シソーラス用語： *インタコネクト ,  窒化タンタル ,  透過型電子顕微鏡法

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (9件)： Cu ,  インターコネクト ,  Ti ,  自己形成 ,  障壁 ,  Ta ,  酸素 ,  誘起 ,  崩壊