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J-GLOBAL ID:201202258444835014   整理番号:12A1727980

超音波噴霧熱分解法で合成した塩化インジウムドープZnO膜の構造特性,電気的性質,光学的性質

Structural, electrical and optical properties of indium chloride doped ZnO films synthesized by Ultrasonic Spray Pyrolysis technique
著者 (8件):
資料名:
巻: 524  ページ: 44-49  発行年: 2012年12月01日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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塩化インジウムドープZnO(ZnO:In)薄膜をガラス基板上に蒸着した。基板温度,蒸着時間,噴霧溶液に添加した酢酸が薄膜の構造特性,電気的性質,光学的性質に及ぼす影響を報告する。全ての膜は六方晶系(ウルツ鉱型)構造を持つ多結晶で,透過率は>80%,電気抵抗率は10-3-10-2Ωcm台であった。電気抵抗率は添加した酢酸の体積%に依存した。最小電気抵抗率値は基板温度450°Cにおいて5vol.%酢酸(pH=3.71)で得られた。基板温度450°Cにおける蒸着速度は180Å/分と速かった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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半導体薄膜 

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