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J-GLOBAL ID:201202258627970883   整理番号:12A0215143

(11-22)半極性GaN結晶の品質の傾斜超格子による改善

Improvements in (1122) semipolar GaN crystal quality by graded superlattices
著者 (9件):
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巻: 520  号:ページ: 1909-1912  発行年: 2012年01月01日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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有機金属化学蒸着によって堆積した半極性(11-22)GaN薄膜における欠陥を低減するための傾斜超格子(SL)の採用について報告する。高解像度X線回折解析から,SLを採用すると,軸上,および軸外のいずれの場合にも,半値全幅が大幅に減少することが分かった。原子間力顕微鏡像から,基底面積層欠陥に関係するスレート状の特徴は,大幅に減少することが明らかになった。また,透過型電子顕微鏡像から,傾斜超格子の採用によって,貫通転位が大幅に減少することが分かった。室温における光ルミネセンス測定から,SLを挿入すると,バンド端発光強度が増大し,非輻射再結合中心の減少を示唆している。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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半導体薄膜 
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