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J-GLOBAL ID：201202258659378200   整理番号：12A1467118

懸垂グラフェンバラクタの理論

Theory of the suspended graphene varactor

著者 (3件)： ABDELGHANY M. (Regroupement Quebecois sur les Materiaux de Pointe, Montreal, Quebec H3C 3J7, Canada and Dep. of Electrical and ...) ,  LEDWOSINSKA E. (Regroupement Quebecois sur les Materiaux de Pointe, Montreal, Quebec H3C 3J7, Canada and Dep. of Electrical and ...) ,  SZKOPEK T. (Regroupement Quebecois sur les Materiaux de Pointe, Montreal, Quebec H3C 3J7, Canada and Dep. of Electrical and ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 15  ページ： 153102-153102-4  発行年： 2012年10月08日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 懸垂グラフェン膜の電圧制御たわみにより素子容量を変えることが出来る懸垂グラフェンバラクタの理論と設計式について報告する。大膜変形を用いた簡易モデルにより,膜の引き込み電圧を1~30Vの間で変化させた場合の容量の可変範囲が76%であることを予想した。固有電気Q値が約200に達することを実験的に求めたYoung率とシート抵抗から予想した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭素材 ,  *可変容量ダイオード ,  Q値 ,  Young率 ,  シート抵抗 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *バラクタ

分類 (1件)： 誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (2件)： 懸垂 ,  理論