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J-GLOBAL ID：201202258703545240   整理番号：12A0651890

CoFeBフリー層の異方性を調整することによる垂直磁気トンネル接合におけるスイッチング電流密度の減少

Reduction of switching current density in perpendicular magnetic tunnel junctions by tuning the anisotropy of the CoFeB free layer
著者 (12件)：
RAHMAN M. T.

RAHMAN M. T. について

(Dep. of Electrical and Computer Engineering, MINT Center, Univ. of Minnesota, Minneapolis, Minnesota 55455, USA)

Dep. of Electrical and Computer Engineering, MINT Center, Univ. of Minnesota, Minneapolis, Minnesota 55455, USA について

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LYLE A.

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(Dep. of Electrical and Computer Engineering, MINT Center, Univ. of Minnesota, Minneapolis, Minnesota 55455, USA)

Dep. of Electrical and Computer Engineering, MINT Center, Univ. of Minnesota, Minneapolis, Minnesota 55455, USA について

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KHALILI AMIRI P.

KHALILI AMIRI P. について

(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California at Los Angeles, Los Angeles, California 90095, USA)

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HARMS J.

HARMS J. について

(Dep. of Electrical and Computer Engineering, MINT Center, Univ. of Minnesota, Minneapolis, Minnesota 55455, USA)

Dep. of Electrical and Computer Engineering, MINT Center, Univ. of Minnesota, Minneapolis, Minnesota 55455, USA について

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GLASS B.

GLASS B. について

(Dep. of Electrical and Computer Engineering, MINT Center, Univ. of Minnesota, Minneapolis, Minnesota 55455, USA)

Dep. of Electrical and Computer Engineering, MINT Center, Univ. of Minnesota, Minneapolis, Minnesota 55455, USA について

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ZHAO H.

ZHAO H. について

(Dep. of Electrical and Computer Engineering, MINT Center, Univ. of Minnesota, Minneapolis, Minnesota 55455, USA)

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ROWLANDS G.

ROWLANDS G. について

(Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of California at Irvine, Irvine, California 96297, USA)

Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of California at Irvine, Irvine, California 96297, USA について

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KATINE J. A.

KATINE J. A. について

(Hitachi Global Storage Technologies, San Jose, California 95135, USA)

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LANGER J.

LANGER J. について

(Singulus Technologies, Kahl am Main 63796, DEU)

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KRIVOROTOV I. N.

KRIVOROTOV I. N. について

(Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of California at Irvine, Irvine, California 96297, USA)

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WANG K. L.

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(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California at Los Angeles, Los Angeles, California 90095, USA)

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WANG J. P.

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(Dep. of Electrical and Computer Engineering, MINT Center, Univ. of Minnesota, Minneapolis, Minnesota 55455, USA)

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資料名：
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

Journal of Applied Physics について


巻： 111  号： 7  ページ： 07C907-07C907-3  発行年： 2012年04月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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CoFeBフリー層とCoFeB/Ru/(Co/Pd)n交換結合固定層からなる垂直磁気トンネル接合のスピントルクスイッチング挙動について研究した。最初に熱処理325°C1時間にても強いPMAの強磁性交換結合構造を形成するようCoFeB/Ru/(Co/Pd)n構造におけるRuおよびCoFeB層の厚みを調整した。かくしてCoFeBフリー層の膜厚がスイッチング電流密度において重要な役割を担うことが示された。そのスイッチング電流密度はCoFeBフリー層の膜厚増加に従い減少する。1.87MA/cm2という最小スイッチング電流密度が60nm直径のデバイスにて実現している。CoFeBフリー層の膜厚減少でのスイッチング電流減少に含まれるメカニズムについても研究している。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語：
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*トンネル接合

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電流

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電流密度

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結合

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*スイッチング

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*鉄合金

鉄合金 について

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コバルト含有合金

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磁性薄膜

磁性薄膜 について

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ホウ素含有合金

ホウ素含有合金 について

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コバルト

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パラジウム

パラジウム について

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多層膜

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膜厚

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異方性

異方性 について


準シソーラス用語：
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*垂直磁気トンネル接合

垂直磁気トンネル接合 について

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スイッチング電流

スイッチング電流 について

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交換結合

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*スピントルクスイッチング

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分類 (2件)：
分類
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金属-絶縁体-金属構造 
(BM03087F)

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,  磁性一般 
(BM06010M)

磁性一般 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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スイッチング電流

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, 
密度の減少

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