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J-GLOBAL ID：201202258752349201   整理番号：12A0960706

CMOS互換金フリープロセスを用いた800Vの破壊電圧と3mΩ・cm²のオン状態抵抗を持つAlCaN/GaNオンシリコン金属酸化物半導体高電子移動度トランジスタ

AlCaN/GaN-on-Silicon Metal-Oxide-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistor with Breakdown Voltage of 800V and On-State Resistance of 3mΩ.cm² Using a Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Compatible Gold-Free Process

著者 (7件)： LIU Xinke (National Univ. Singapore, Singapore) ,  ZHAN Chunlei (National Univ. Singapore, Singapore) ,  CHAN Kwok Wai (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  LIU Wei (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  TAN Leng Seow (National Univ. Singapore, Singapore) ,  CHEN Kevin Jing (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  YEO Yee-Chia (National Univ. Singapore, Singapore)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 5  号： 6  ページ： 066501.1-066501.3  発行年： 2012年06月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,相補性金属酸化膜半導体(CMOS)互換金フリープロセスを用いた非ドープAlCaN/GaNオンシリコン金属酸化物半導体高電子移動度トランジスタ(MOS-HEMT)の作製と評価について報告する。5μmのゲートドレイン間距離L_GDを持つ素子で,800Vのオフ状態破壊電圧と3mΩ・cm²のオン状態抵抗を達成した。さらに,約97mV/decadeのサブ閾値スイングSと約10⁶のI_on/I_off比を得た。10μm以下のゲートドレイン間距離L_GDを持つ金フリーGaN MOS-HEMTと比較して,本研究において達成したV_BRは最大である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 電圧 ,  オン抵抗 ,  窒化ガリウム ,  *HEMT ,  比率 ,  閾値 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： 破壊電圧 ,  *高電子移動度トランジスタ ,  スイッチング電流比 ,  サブ閾値

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： CMOS ,  プロセス ,  破壊電圧 ,  オン状態 ,  GaN ,  金属酸化物半導体 ,  高電子移動度トランジスタ