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J-GLOBAL ID：201202258855256066   整理番号：12A1317093

有機半導体における効率的な電荷注入を目指した界面ドーピング

Interfacial doping for efficient charge injection in organic semiconductors

著者 (2件)： LEE Jae-Hyun (Hanbat National Univ., Daejeon, KOR) ,  KIM Jang-Joo (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 209  号： 8  ページ： 1399-1413  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記を調べた結果,電気的ドーピングによって,真空準位シフトが修正され,接合における空乏層の幅が狭まるために,電荷注入に関する障壁が低下し,また,キャリア密度が増すために,有機半導体の電気伝導度が可成り増大することが分かった。有機素子におけるドーピング技術の応用によって,素子のJ-V特性が改善され,素子性能が大幅に増大することが分かった。有機半導体の分野においては,ドーピング特性の定量的および系統的な解析と有効なドーパントの開発に関する更なる研究が必要である。

シソーラス用語： *有機半導体 ,  キャリア注入 ,  界面 ,  *ドーピング ,  アルミニウム ,  フッ化リチウム ,  空乏層 ,  キャリア密度 ,  電流電圧特性 ,  *半導体金属接合 ,  電子エネルギー損失分光法 ,  ドーパント ,  FET【トランジスタ】 ,  発光ダイオード
準シソーラス用語： *界面ドーピング ,  真空準位 ,  電荷注入 ,  有機FET ,  有機発光ダイオード

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

物質索引 (1件)： トリス(8-ヒドロキシキノリン)アルミニウム

タイトルに関連する用語 (3件)： 有機半導体 ,  電荷注入 ,  界面ドーピング