Al中間層をもつ薄膜β-FeSi<sub>2</sub>/Siヘテロ接合太陽電池の光起電力性能の改良

LIEW S. L.; CHAI Y.; TAN H. R.; HUI H. K.; WONG A. S. W.; DALAPATI G. K.; CHI D. Z.

文献

J-GLOBAL ID：201202258964773500 整理番号：12A0214804

Al中間層をもつ薄膜β-FeSi₂/Siヘテロ接合太陽電池の光起電力性能の改良

Improvement in Photovoltaic Performance of Thin Film β-FeSi₂/Si Heterojunction Solar Cells with Al Interlayer

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資料名：
巻： 159 号： 1 ページ： H52-H56 発行年： 2012年
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

FeSi₂及びAlをそれぞれのターゲットから同時スパッタして厚さ約50nmのコスパッタFeSi₂及びAl層を形成した。Al中間層をもつ試料については1.5~9nmのAl膜を同時スパッタの前にAlターゲットからスパッタした。参照用試料としてFeSi₂のみの試料も作製した。Alの堆積はrfスパッタリングにより,FeSi₂はdcスパッタリングにより堆積した。作製した試料はN₂中,600°Cでアニールした。FeSi₂の上にITO層を堆積して上部電極を,Ti-Al二重層をSi基板の背側に堆積して下部電極を作製した。Alの原子比が0.14~0.37のときFeSi₂(Al)膜は多結晶斜方晶半導体であった。Al中間層をもつ太陽電池はそれのないものよりも優れた短絡電流及び開回路電圧を示した。β-FeSi₂(Al)及びSiからの光キャリアへの寄与はSi濃度とともに増大した。AM1.5G,100mW/cm²の照射下での最高のエネルギー変換効率0.81%が厚さ9nmのAlをもつデバイスで得られた。

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太陽電池 , 半導体薄膜 , 金属薄膜

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Al中間層をもつ薄膜β-FeSi2/Siヘテロ接合太陽電池の光起電力性能の改良

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