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J-GLOBAL ID：201202258971202429   整理番号：12A1021734

陽子と電子により誘起したNPNトランジスタに及ぼす同時及び逐次放射線効果

Simultaneous and Sequential Radiation Effects on NPN Transistors Induced by Protons and Electrons

著者 (5件)： LI Xingji (Harbin Inst. Technol., Harbin, CHN) ,  LIU Chaoming (Harbin Inst. Technol., Harbin, CHN) ,  RUI Erming (Harbin Inst. Technol., Harbin, CHN) ,  GENG Hongbin (Harbin Inst. Technol., Harbin, CHN) ,  YANG Jianqun (Harbin Inst. Technol., Harbin, CHN)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 59  号： 3,Pt.2  ページ： 625-633  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *バイポーラトランジスタ ,  電離放射線 ,  電圧依存性 ,  電流電圧特性 ,  利得 ,  *はじき出し損傷 ,  電子照射 ,  陽子照射
準シソーラス用語： *NPNトランジスタ ,  コレクタ電流 ,  ベース電流 ,  電流利得

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 陽子 ,  電子 ,  誘起 ,  NPNトランジスタ ,  逐次 ,  放射線効果