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J-GLOBAL ID：201202259033775513   整理番号：12A1245895

超高ラジオ周波数線形性での低電力動作のための垂直積層個別チューナブルナノワイヤ電界効果トランジスタ

Vertically stacked individually tunable nanowire field effect transistors for low power operation with ultrahigh radio frequency linearity

著者 (3件)： SONG Yi (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Micro and Nanotechnology Lab., Univ. of Illinois at Urbana-Champaign ...) ,  LUO Jun (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100029, CHN) ,  LI Xiuling (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Micro and Nanotechnology Lab., Univ. of Illinois at Urbana-Champaign ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 9  ページ： 093509-093509-4  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本レターにおいて,超高線形性をもつラジオ周波数(RF)回路の動作のための,垂直積層ナノワイヤ(NW)ゲートオールアラウンド(GAA)金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の実験的に実現可能な設計を述べた。垂直積層における個々のNWの直径及びドーピングレベルを適切に調整することにより,単一ナノワイヤ設計に較べて,はるかに高い三次遮断点を,他の性能計量を劣化させること無く達成した。線形性を改善するこの方法は,RF線形性と電力供給との間の設計トレードオフを克服し,すべての材料の多重積層ナノワイヤGAA MOSFETに応用可能であろう。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,  垂直型 ,  積層構造 ,  *線形性 ,  電気回路 ,  *MOSFET ,  *設計 ,  ドーピング ,  電力供給
準シソーラス用語： *ナノワイヤ電界効果トランジスタ ,  *RF回路 ,  ゲートオールアラウンド構造

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  薄膜一般  (BK14010X)

タイトルに関連する用語 (6件)： ラジオ ,  線形性 ,  低電力 ,  垂直 ,  チューナ ,  ナノワイヤ電界効果トランジスタ