文献

J-GLOBAL ID：201202259035340603   整理番号：12A0783875

表面モルフォロジーの制御によるフェムト秒レーザ・ハイパードーピングの研究

Studying femtosecond-laser hyperdoping by controlling surface morphology

著者 (7件)： WINKLER Mark T. (Dep. of Physics and School of Engineering and Applied Sciences, Harvard Univ., 9 Oxford Street, Cambridge ...) ,  SHER Meng-ju (Dep. of Physics and School of Engineering and Applied Sciences, Harvard Univ., 9 Oxford Street, Cambridge ...) ,  LIN Yu-ting (School of Engineering and Applied Sciences, Harvard Univ., 9 Oxford Street, Cambridge, Massachusetts 02138, USA) ,  SMITH Matthew J. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Massachusetts Inst. of Technol., 77 Massachusetts Ave., Cambridge ...) ,  ZHANG Haifei (School of Engineering and Applied Sciences, Harvard Univ., 9 Oxford Street, Cambridge, Massachusetts 02138, USA) ,  GRADECAK Silvija (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Massachusetts Inst. of Technol., 77 Massachusetts Ave., Cambridge ...) ,  MAZUR Eric (Dep. of Physics and School of Engineering and Applied Sciences, Harvard Univ., 9 Oxford Street, Cambridge ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 9  ページ： 093511-093511-7  発行年： 2012年05月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フェムト秒レーザ(fsレーザ)ハイパードーピングの基本的性質を,レーザ照射後の表面性状の制御方法を開発して調べた。ドーピングプロセスから表面ラフネス形成を分離して,fsレーザドープ・シリコンの構造と電子的性質を調べた。これらの実験はドーピングプロセスの予測モデルを作るのに必要な一つのステップである。単一fsレーザパルスを用いてシリコンに硫黄をドープし,二次イオン質量分析,透過電子顕微鏡観察及びHall効果測定を定量的に行った。これらの測定から,4kJ cm^-2以上のレーザフルエンスでの単一レーザパルスにより(3±1)×10¹³cm^-2以上のドーズ量で硫黄がドープできることと,表面に45nm厚のアモルファス層が形成されることが分かった。これらの結果を基に,表面ラフネスを形成することなく,シリコンの広い領域にハイパードーピングする方法を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フォトドーピング ,  ドーピング ,  パルスレーザ ,  *ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  *硫黄 ,  ドーパント ,  濃度分布 ,  電流電圧特性 ,  微細構造 ,  キャリア密度 ,  Hall移動度 ,  表面粗さ
準シソーラス用語： ハイパードーピング ,  *レーザドーピング

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 表面モルフォロジー ,  フェムト秒レーザ ,  研究