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J-GLOBAL ID：201202259063010473   整理番号：12A0651545

ナノインデンテーション法による単結晶シリコンのマルテンス硬さ評価

著者 (5件)： 福田勝己 (東京工高専) ,  小林光男 (工学院大) ,  角田陽 (東京工高専) ,  高畦千翔 (東京工高専) ,  本多千絵 (東京工高専)
資料名： 日本機械学会関東支部総会講演会講演論文集
巻： 18th  ページ： 431-432  発行年： 2012年03月08日 
JST資料番号： L3954A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 微小領域や薄膜などの材料表面近傍の機械的特性を明らかにすることは重要な課題の一つである。単結晶シリコンは結晶性材料であるために,その結晶方位の違いによって異なる強度を示すことが知られている。そこで本研究では,ナノインデンテーション法を用いて,圧子の回転角度と押し込み荷重を変化させ,単結晶シリコンのマルテンス硬さに及ぼす影響について明らかにした。その結果,マルテンス硬さにおいて荷重移存性があることが分かった。また,結晶方位の違いによって硬さ値に違いがあることが明らかになった。(著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  硬度 ,  ナノインデンテーション ,  圧子 ,  結晶方位
準シソーラス用語： *単結晶シリコン ,  *マルテンス硬さ

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノインデンテーション ,  単結晶シリコン ,  硬さ ,  評価