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J-GLOBAL ID：201202259072351739   整理番号：12A1776504

13.56MHz無線動作を達成する酸化物TFT整流器

Oxide TFT Rectifier Achieving 13.56-MHz Wireless Operation

著者 (8件)： KAWAMURA Tetsufumi (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  WAKANA Hironori (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  FUJII Kuniharu (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  OZAKI Hiroaki (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  WATANABE Kazuki (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  YAMAZOE Takanori (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  UCHIYAMA Hiroyuki (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  TORII Kazuyoshi (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 11  ページ： 3002-3008  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温で製作出来,低電圧動作のTFTはシートデバイスに不可欠である。InGaZnO(IGZO)やZnSnOなどの酸化物半導体はシートデバイスに適している。無線で信号や電力を送信する場合整流器が必要である。整流器はpnやSchottkyダイオードで設計できるが余計な工程が必要であってコストが高くなる。最近,ダイオードを使わないTFTによる整流器が報告されている。完全空乏化アモルファスIGZO TFTを使って全波整流器を製作した。整流器は4個のTFTで構成され,200mWの市販RFIDリーダー/ライターからの13.56MHz無線入力を整流し,dc出力は5V以上である。有線の交流入力は25MHzまで整流する。計算によると製作した整流器の最大動作周波数は非準静的動作で~3GHzであり,準静的動作では240MHzである。

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *整流器 ,  *薄膜トランジスタ ,  全波整流 ,  素子構造 ,  電流電圧特性 ,  周波数
準シソーラス用語： IGZO【半導体】 ,  TFT【トランジスタ】 ,  *酸化物半導体 ,  動作周波数

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 無線 ,  酸化物 ,  TFT ,  整流器