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J-GLOBAL ID：201202259131091410   整理番号：12A0024305

改善されたイオン変調を示すポリ(4-ビニルピリジン)ベースの薄膜トランジスタの作製と特性評価

The fabrication and characterization of poly(4-vinylpyridine)-based thin film transistors exhibiting enhanced ion modulation

著者 (5件)： ELKINGTON Daniel (Centre for Organic Electronics, Univ. of Newcastle, Callaghan, NSW 2308, AUS) ,  DARWIS Darmawati (Centre for Organic Electronics, Univ. of Newcastle, Callaghan, NSW 2308, AUS) ,  ZHOU Xiaojing (Centre for Organic Electronics, Univ. of Newcastle, Callaghan, NSW 2308, AUS) ,  BELCHER Warwick (Centre for Organic Electronics, Univ. of Newcastle, Callaghan, NSW 2308, AUS) ,  DASTOOR Paul C. (Centre for Organic Electronics, Univ. of Newcastle, Callaghan, NSW 2308, AUS)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 13  号： 1  ページ： 153-158  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 過塩素酸リチウムをドープした吸湿性のポリ(4-ビニルピリジン)ベースの有機薄膜トランジスタを作製して特性評価した。添加したドーパントの量と動作電圧の両方に依存する観察されたメカニズムを持つこれらのデバイスで,電流変調の複数のメカニズムを観察する。低ゲート電圧(0~-0.8V)では,電流変調メカニズムは誘電体層に固有のイオンにより支配され(その吸湿性のため),一方より高いゲート電圧(-1~-2V)では,デバイスの挙動は,ドーパントイオンの動きにより支配される。最も重要なことに,ドーパント濃度の注意深い制御により,大幅に改善された電流変調を有するすべての溶液処理デバイスを作製することが可能なことを示す。特に,10⁵を超える電流変調比が,このデバイスアーキテクチャで可能であることを示す。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *P4VP ,  *薄膜トランジスタ ,  吸湿性 ,  ドーパント ,  *電流制御 ,  電圧 ,  過塩素酸リチウム ,  イオン拡散 ,  電気二重層 ,  ドリフト
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  *有機薄膜トランジスタ ,  イオンドリフト

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： イオン ,  変調 ,  4-ビニルピリジン ,  薄膜トランジスタ ,  作製 ,  特性評価