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J-GLOBAL ID:201202259167751998   整理番号:12A0771343

エピタキシャルニオブの超薄膜の結晶成長と超伝導特性における歪み効果

Strain Effects on the Crystal Growth and Superconducting Properties of Epitaxial Niobium Ultrathin Films
著者 (8件):
資料名:
巻: 12  号:ページ: 2588-2593  発行年: 2012年05月 
JST資料番号: W1323A  ISSN: 1528-7483  CODEN: CGDEFU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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α面サファイア基板上にエピタキシャル析出したNb(110)薄膜の核生成と結晶成長における歪みの干渉効果を研究した。原子間力顕微鏡(AFM)を用いてこの薄膜の表面形態を観察し,in situ反射高エネルギー電子回折(RHEED)とex situX線回折(XRD)および透過型電子顕微鏡(TEM)によって薄膜の構造を研究した。AFMによると100nmの厚さの膜は2重の表面異方性があり,薄くなると引き伸ばされた表面は1軸異方性に変わった。RHEEDとXRDによるとこの薄膜は最初に6角形の相が3原子層(AL)の厚さで存在し,その後歪んだbcc Nb(110)相になり,面内方向にそって徐々に緩和して14 Nb ALに近い値になった。XRDとTEMによって,垂直方向の歪み緩和も調べた。このような初期の歪み層の超伝導特性は非常に低下して臨界温度も低くなった。これらの研究結果から,α面サファイア基板におけるエピタキシャルNb膜の初期成長段階では歪みおよびそれに関連した欠陥の存在と散逸効果の相関関係を確認することができた。
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分類 (4件):
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固-固界面  ,  金属薄膜  ,  金属系超伝導体の物性  ,  金属結晶の磁性 
タイトルに関連する用語 (4件):
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