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J-GLOBAL ID：201202259181916207   整理番号：12A1578971

窒化スズ薄膜の熱処理によって成長させた窒素ドープSnO₂薄膜のp型伝導

p-type conduction in nitrogen-doped SnO₂ films grown by thermal processing of tin nitride films

著者 (8件)： PAN S. S. (Chinese Acad. of Sciences, Key Lab. of Materials Physics, Anhui Key Lab. of Nanomaterials and Nanostructures, Inst. ...) ,  WANG S. (Chinese Acad. of Sciences, Key Lab. of Materials Physics, Anhui Key Lab. of Nanomaterials and Nanostructures, Inst. ...) ,  ZHANG Y. X. (Chinese Acad. of Sciences, Key Lab. of Materials Physics, Anhui Key Lab. of Nanomaterials and Nanostructures, Inst. ...) ,  LUO Y. Y. (Chinese Acad. of Sciences, Key Lab. of Materials Physics, Anhui Key Lab. of Nanomaterials and Nanostructures, Inst. ...) ,  KONG F. Y. (Chinese Acad. of Sciences, Key Lab. of Materials Physics, Anhui Key Lab. of Nanomaterials and Nanostructures, Inst. ...) ,  XU S. C. (Chinese Acad. of Sciences, Key Lab. of Materials Physics, Anhui Key Lab. of Nanomaterials and Nanostructures, Inst. ...) ,  XU J. M. (Chinese Acad. of Sciences, Key Lab. of Materials Physics, Anhui Key Lab. of Nanomaterials and Nanostructures, Inst. ...) ,  LI G. H. (Chinese Acad. of Sciences, Key Lab. of Materials Physics, Anhui Key Lab. of Nanomaterials and Nanostructures, Inst. ...)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 109  号： 2  ページ： 267-271  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アモルファス窒化スズ薄膜を350°Cから500°Cの温度でO₂-Ar気体流中で熱処理することによってp型窒素ドープSnO₂(SnO₂:N)薄膜を成長させた。高分解能X線光電子分光(XPS)とX線回折パターンからN原子がSnO₂格子中でO原子を置換していることが導かれた。Nドーパントはより高い熱酸化温度でSnO₂:N中でより密に結合していることがXPS結果から導かれた。400°Cの酸化温度で得られた正孔密度は1.87×10¹⁹cm^-3であり,これは以前の報告と比べて劇的に増加している。これらの結果は窒化錫の高温熱酸化は自己補償効果を緩和し,γ-N₂2重ドナーの含有量を低減し,SnO₂:N薄膜におけるNドーパントの安定性を強化するための容易で効果的な道筋であることを示唆している。Copyright 2012 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒素 ,  *ドーピング ,  *酸化スズ ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  窒化物 ,  *熱酸化 ,  *P型半導体 ,  X線光電子スペクトル ,  X線回折 ,  *キャリア密度
準シソーラス用語： 窒化スズ

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 窒化 ,  スズ ,  薄膜 ,  熱処理 ,  成長 ,  窒素ドープ ,  P型伝導