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J-GLOBAL ID:201202259267155969   整理番号:12A0495420

電子取り出しバッファ層として超薄膜酸化チタンナノシートを持つ反転バルクヘテロ接合型有機太陽電池の作製

Fabrication of Inverted Bulk-Heterojunction Organic Solar Cell with Ultrathin Titanium Oxide Nanosheet as an Electron-Extracting Buffer Layer
著者 (3件):
資料名:
巻: 51  号: 2,Issue 2  ページ: 02BK13.1-02BK13.4  発行年: 2012年02月25日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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酸化インジウムスズ(ITO)/チタニアナノシート/ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT):フェニル-C61-酪酸メチルエステル(PCBM)活性層/MoOx/Agの多層光起電素子から成る反転バルクヘテロ接合型(BHJ)太陽電池における超薄膜チタニアナノシート(TN)微結晶の役割と堆積条件を研究した。層毎の成長法で堆積した1層,あるいは2層だけのポリジアリルジメチルアンモニウムクロリド(PDDA)とTN多層膜が漏れ電流を有効に減少させ,開放電圧(Voc)と曲線因子(FF)を増大させることが分かった。また,2個のTN層を挿入すると,パワー変換効率(η)は殆ど2倍になることが判明した。更にTN層を堆積すると,FFは低下し,3層,あるいは4層のTN層を持つ素子のVoc以上において観測される異常なS字形の曲線は,ITO/TN界面における界面ポテンシャル障壁およびTNとPDDAの多層膜を横切る直列抵抗に起因することが分かった。TN層を持つBHJ素子の性能は大幅に改善され,ITOとTN層の間にアナターゼ相の酸化チタニウムを挿入すると,界面ポテンシャル障壁が減少するためにS字形の特徴を持つ曲線は消失することが分かった。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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太陽電池 

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