文献

J-GLOBAL ID：201202259298166357   整理番号：12A1304510

汚染された表面上のAC電弧成長の実験的研究

An Experimental Study of AC Arc Propagation over a Contaminated Surface

著者 (5件)： LI Jian (Tsinghua Univ., Shenzhen, CHN) ,  GUAN Zhicheng (Tsinghua Univ., Shenzhen, CHN) ,  WANG Liming (Tsinghua Univ., Shenzhen, CHN) ,  YANG Hailong (Tsinghua Univ., Shenzhen, CHN) ,  ZHOU Jun (China Electric Power Res. Inst., Beijing, CHN)
資料名： IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation  (IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation)
巻： 19  号： 4  ページ： 1360-1368  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： W0578A  ISSN： 1070-9878  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 戸外絶縁体の汚染フラッシュオーバは数十年にわたり研究されている重要な現象である。汚染された表面上のAC電弧成長を高速カメラを用いて2方向から観察した。異なった電弧の部分の再点弧過程は異なることが分かった。電弧の根の観察と解析に基づいて,絶縁破壊過程が電弧拡大に重要な役割を果たすことが証明された。重要な結論は以下のとおりである。電弧の根と柱の再点弧過程は同じではなく,再点弧過程中の電弧の根の特性から,電弧チップに先立つ電気破壊が,濡れたフィルム上の電弧成長の主な理由である。濡れたフィルム上のAC電弧の動きを説明するため,新しいメカニズムが導入された。AC電弧成長のためには電場基準と安定放電基準が両方満たされなければならない。電弧成長速度は両基準の達成速度に依存する。

シソーラス用語： *アーク放電 ,  再点弧 ,  *汚染 ,  フラッシュオーバ ,  *高速度カメラ ,  濡れ ,  絶縁材料 ,  絶縁破壊 ,  電場 ,  *表面 ,  絶縁体
準シソーラス用語： 電弧

分類 (2件)： 絶縁材料  (NA04030W) ,  開閉保護一般  (NB09010M)

タイトルに関連する用語 (5件)： 汚染 ,  Ac ,  電弧 ,  成長 ,  実験的研究