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J-GLOBAL ID：201202259418325179   整理番号：12A0340984

ホモエピタキシャルSrTiO₃薄膜における点欠陥,二軸歪,及び熱伝導率

Interplay of point defects, biaxial strain, and thermal conductivity in homoepitaxial SrTiO₃ thin films

著者 (9件)： WIEDIGEN S. (Univ. of Goettingen, Inst. of Materials Physics, Friedrich-Hund-Platz 1, 37077 Goettingen, DEU) ,  KRAMER T. (Univ. of Goettingen, Inst. of Materials Physics, Friedrich-Hund-Platz 1, 37077 Goettingen, DEU) ,  FEUCHTER M. (Karlsruhe Inst. of Technol., Inst. for Applied Materials, Hermann-von-Helmholtz-Platz 1, 76344 ...) ,  KNORR I. (Univ. of Goettingen, Inst. of Materials Physics, Friedrich-Hund-Platz 1, 37077 Goettingen, DEU) ,  NEE N. (Univ. of Goettingen, Inst. of Materials Physics, Friedrich-Hund-Platz 1, 37077 Goettingen, DEU) ,  HOFFMANN J. (Univ. of Goettingen, Inst. of Materials Physics, Friedrich-Hund-Platz 1, 37077 Goettingen, DEU) ,  KAMLAH M. (Karlsruhe Inst. of Technol., Inst. for Applied Materials, Hermann-von-Helmholtz-Platz 1, 76344 ...) ,  VOLKERT C. A. (Univ. of Goettingen, Inst. of Materials Physics, Friedrich-Hund-Platz 1, 37077 Goettingen, DEU) ,  JOOSS Ch. (Univ. of Goettingen, Inst. of Materials Physics, Friedrich-Hund-Platz 1, 37077 Goettingen, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 6  ページ： 061904  発行年： 2012年02月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱伝導率に及ぼす点欠陥及び格子歪の効果の分離は,SrTiO₃の熱電気特性の改善にとって不可欠である。イオンビームスパッタリングにより作製したホモエピタキシャルSrTiO₃膜における,堆積中に生成される欠陥,誘起される格子歪,及び熱伝導率κに及ぼすそれらの影響間の関係を研究した。堆積温度を低めることは,膜の硬度を増大させる点欠陥密度の増倍による格子膨張を引き起こした。完全にコヒーレントな基板-膜界面により,格子不整合は,大きな二軸歪を誘起した。しかし,κの温度依存性は,主に,欠陥濃度に敏感であることを示すことができた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *チタン酸ストロンチウム ,  薄膜 ,  ホモエピタクシー ,  イオンビームスパッタリング ,  *熱伝導率 ,  *点欠陥 ,  *格子歪 ,  歪 ,  硬度 ,  温度依存性 ,  欠陥密度
準シソーラス用語： *熱電気特性 ,  二軸歪

分類 (3件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  比熱・熱伝導一般  (BL05021E) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B)

タイトルに関連する用語 (6件)： ホモ ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  点欠陥 ,  二軸歪 ,  熱伝導率