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J-GLOBAL ID:201202259450306321   整理番号:12A0735948

原子プローブトモグラフィーにおける濃度プロファイル決定への新しいアプローチ

A New Approach to the Determination of Concentration Profiles in Atom Probe Tomography
著者 (6件):
資料名:
巻: 18  号:ページ: 359-364  発行年: 2012年04月 
JST資料番号: W1587A  ISSN: 1431-9276  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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高電圧パルス電界による電界蒸発を用いたアトムプローブトモグラフィー(APT)は原子寸法オーダーの分解能で3次元の元素濃度分布を表現するが,電界蒸発は原子をもとの位置よりわずかにずれたところに再構築させることになるが,この過程での溶質原子の好ましい残留配置モデルとして相対電界蒸発可能性に基づいて,深さ方向分布を溶質原子の点拡散関数から計算し,より正確な溶質濃度分布を求めることにした。横方向位置の試料曲線に基づいて校正するが,探針上に原子が数層残っていると逐次蒸発工程でのちに検出することになり再構築の際の誤差要因になる。ここではその校正手法を提案,実際の工学応用材料での分析での事例を紹介した。鉄鋼中の粒界の炭素,Inconel(A718),Al中のCu原子などの粒界への垂直方向の軽元素濃度分布を調べ,残留原子濃度分布は指数関数的減衰関数をもつ実際の濃度の畳み込みと仮定し,指数関数的に修正したガウス分布(EMG)近似で観測偏析プロファイルを解析した。Al合金中のCu粒界非平衡偏析の精密な様子を明らかにした。
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