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J-GLOBAL ID：201202259475032706   整理番号：12A1485687

高周波DC-DCコンバータ用の低Vds(1.8V),12V RF-LDMOSの実現

Implementation of Low Vgs (1.8V) 12V RF-LDMOS for High-Frequency DC-DC Converter Applications

著者 (6件)： CHOI Yong-Keon (Dongbu HiTek, Kyeonggi-Do, KOR) ,  PARK Il-Yong (Dongbu HiTek, Kyeonggi-Do, KOR) ,  OH Hee-Sung (Dongbu HiTek, Kyeonggi-Do, KOR) ,  LEE Wook (Dongbu HiTek, Kyeonggi-Do, KOR) ,  KIM Nam-Joo (Dongbu HiTek, Kyeonggi-Do, KOR) ,  YOO Kwang-Dong (Dongbu HiTek, Kyeonggi-Do, KOR)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 24th  ページ： 125-128  発行年： 2012年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低V_gs(1.8V)12V RF-N/PLDMOSの製作と,その素子の特性を述べた。0.18μmアナログCMOS技術を使用し,熱処理時間の追加無しに素子を製作した。素子の構造と製作工程,並びに素子の電気特性の測定結果を示した。NLDMOSおよびPLDMOSの遮断周波数は37.2MHzおよび12.9MHzであり,ブレークダウン電圧20Vはであると述べた。ウエハレベルでの長期ホットキャリヤ注入試験の結果から,V_ds=12V,V_gs=1.8Vで,150Ksec印加後の線形ドレイン電流のシフトが10%以内であると述べた。

シソーラス用語： *DC-DCコンバータ ,  *MOSFET ,  電力トランジスタ ,  遮断周波数 ,  電圧 ,  電流電圧特性 ,  電流
準シソーラス用語： LDMOS ,  カットオフ周波数 ,  ドレイン電流 ,  絶縁破壊電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高周波 ,  DC-DCコンバータ ,  VDS ,  RF ,  LDMOS