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J-GLOBAL ID:201202259665915833   整理番号:12A1371766

Si/SiO2多層構造に基づく二重帯域MIS紫外検出器の自己無撞着性能モデリング

Self-consistent performance modeling for dual band MIS UV photodetectors based on Si/SiO2multilayer structure
著者 (4件):
資料名:
巻: 51  号: 16  ページ: 3508-3518  発行年: 2012年06月01日 
JST資料番号: B0026B  ISSN: 1559-128X  CODEN: APOPAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,金属-絶縁体半導体(MIS)二重帯域紫外線(UV)光検出器の自己無撞着理論モデルを示した。ここで,その能動領域として任意に定義された絶縁ポテンシャルバリアを有する修正構造を検討した。シリコンの多重量子井戸(MQW)を有するMISUV光検出器において,提案したモデルを利用して,暗電流と光電流密度-電圧(J-V)特性を計算した。電子トンネル効果の確率がピーク検出波長と一致するエネルギーで1になるために,暗電流が低減することを実証した。これは,共鳴トンネル効果に起因し,この最適値より著しく小さいエネルギーで減少した。この結果,暗電流に寄与するキャリアの数は,高温でエネルギー分布が広いが,減少した。設計された構造は,二つのUV波長を同時に検出することも示した。中間と近UV領域の光子スペクトル(約365nm,175nm)において,これらの二つの吸収ピークを観測するために,1.2nm付近で各Si量子井戸の幅を検討した。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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測光と光検出器一般 

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