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J-GLOBAL ID：201202259707368307   整理番号：12A1602291

多結晶有機薄膜トランジスタに及ぼす普遍的移動度則の影響

Impact of universal mobility law on polycrystalline organic thin-film transistors

著者 (4件)： RAJA Munira (Organic Electronics Group, Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Univ. of Liverpool, Brownlow Hill ...) ,  DONAGHY David (Organic Electronics Group, Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Univ. of Liverpool, Brownlow Hill ...) ,  MYERS Robert (Organic Electronics Group, Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Univ. of Liverpool, Brownlow Hill ...) ,  ECCLESTON Bill (Organic Electronics Group, Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Univ. of Liverpool, Brownlow Hill ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 8  ページ： 084503-084503-10  発行年： 2012年10月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶薄膜への電荷キャリア注入に関する新しい概念を採用することによって多結晶有機薄膜トランジスタ(OTFT)の革新的な解析モデルを開発した。このモデルはまたオーミック性の乏しいコンタクトに関係したコンタクト抵抗の影響を取り込んでいる。両擬拡散および擬ドリフト領域におけるOTFTのドレイン電流方程式により,必須材料に関する温度依存性とデバイスパラメータを予測する。興味深いことに,普遍的移動度則(UML)を利用することによって開発した純粋に無秩序モデルに比べて,多結晶OTFTモデルはドリフト領域で印加電圧に関する同様なパワー依存性があることを明らかにする。このような類似性が偶然に起きるものとは考えられない。なぜなら,表面ポテンシャルに及ぼすゲート電圧の影響は結晶粒界におけるFermi準位ピン止めによって影響を受けるためである。それにもかかわらず,無秩序モデルよりも提案した多結晶モデルによって,拡散成分が支配的である特に低ゲート電圧で,6,13-ビス(トリ-イソプロピルシリルエチニル)OTFTのデータとの最適合を達成する。さらに,結晶粒界の影響を理解するために,キャリア濃度に関する実効移動度の依存性についての関係を,結晶領域が無秩序領域と直接コンタクトしているものと仮定して考案する。大変興味深いことに,純粋に無秩序材料のUMLについて同様な依存性を発見する。そこではさらに結晶粒界により伝導が制限されるものとして表す。その後,ゲート電圧による実効移動度の変動の関する解析的なモデルを完成させる。そのようなモデルは革新的な有機回路のより正確な設計開発を支援する上で不可欠なものである。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *多結晶 ,  *薄膜トランジスタ ,  解析モデル ,  接触抵抗 ,  電流 ,  ドリフト ,  電圧 ,  表面電位 ,  結晶粒界 ,  Fermi準位 ,  ピン止め ,  キャリア密度 ,  結晶系 ,  *有機半導体 ,  温度依存性 ,  *キャリア移動度
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  ドレイン電流 ,  パワー依存性 ,  印加電圧 ,  有機薄膜 ,  *有機薄膜トランジスタ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

物質索引 (1件)： 6,13-ビス(トリイソプロピルシリルエチニル)ペンタセン

タイトルに関連する用語 (3件)： 多結晶 ,  有機薄膜トランジスタ ,  移動度