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J-GLOBAL ID:201202259734350720   整理番号:12A0723644

空気酸化したSi(110)-(5×1)表面上に成長させたナノスケールのAg島のエピタキシ様配向

Epitaxy-like orientation of nanoscale Ag islands grown on air-oxidized Si(110)-(5 × 1) surfaces
著者 (4件):
資料名:
巻: 44  号:ページ: 513-518  発行年: 2012年05月 
JST資料番号: E0709A  ISSN: 0142-2421  CODEN: SIANDQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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Ag析出前の基板表面の修飾と析出中の基板温度が金属ナノ粒子の構造にどのように影響を与えるか調べた。Ag析出に先だって,清浄なSi(110)-(5×1)再構成表面を空気にさらすことによる界面修飾により基板である清浄なSi(110)-(5×1)表面を修飾した。これにより清浄なSi表面上に薄いSiOx層が形成される。室温(RT)で,この表面上へのAg析出は,ほぼ球状の,小さいそしてランダムに配向したAgナノ粒子の成長をもたらす。Ag析出中に基板温度を上昇させると,ランダムに配向したAgナノ粒子からの優先的に配向したAgナノ粒子の進化も調べた。in situRHEEDとex situSEM,断面TEM(XTEM)で調べた。酸化物層が本質的に無傷のまま残り,Ag島がこの層上に成長する。析出したAg膜のAg島の結晶学的配向とその基板温度への依存性に注目した。
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分類 (1件):
分類
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金属薄膜 

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