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J-GLOBAL ID：201202259913884281   整理番号：12A1730751

空間変調接合終端拡張を用いた21-kV SiC BJT

21-kV SiC BJTs With Space-Modulated Junction Termination Extension

著者 (5件)： MIYAKE Hiroki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  OKUDA Takafumi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NIWA Hiroki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO Tsunenobu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SUDA Jun (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 11  ページ： 1598-1600  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiCに基づいたパワー バイポーラ接合トランジスタ(BJT)は,高耐圧と低オン抵抗という特性から期待が高まっている。Siのような熱暴走による2次絶縁破壊が起こらない。4H-SiC BJTの電流増幅率は,室温で257,250°Cで127である。本レターでは,0.035mm²の微少面積で20-kVクラスの報告をした。電流増幅率の最大値は63,オン抵抗は,321mΩ・cm²,オープンベースで漏れ電流0.1mAcm²で21kV耐圧を達成した。

シソーラス用語： 絶縁破壊 ,  *バイポーラトランジスタ ,  拡大 ,  漏れ電流 ,  オン抵抗 ,  *絶縁耐力 ,  信号変調 ,  炭化ケイ素 ,  *高耐圧
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  SiC ,  バイポーラ接合トランジスタ ,  空間変調 ,  電流増幅

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 空間変調 ,  終端 ,  拡張 ,  SiC ,  BJT