スピンフィルタ・アプリケーションに向かってのIn<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As 二重量子井戸における Shubnikov de Haas振動のビーティング解析

KOGA Takaaki; MATSUURA Toru; FANIEL Sebastien; SOUMA Satofumi; MINESHIGE Shunsuke; SEKINE Yoshiaki; SUGIYAMA Hiroki

文献

J-GLOBAL ID：201202259937176105 整理番号：12A0721757

スピンフィルタ・アプリケーションに向かってのIn_0.53Ga_0.47As 二重量子井戸における Shubnikov de Haas振動のビーティング解析

Beating Analysis of Shubnikov de Haas Oscillation in In_0.53Ga_0.47As Double Quantum Well toward Spin Filter Applications

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著者 (7件)：

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資料名：

IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers) (IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

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巻： E95-C 号： 5 ページ： 770-776 (J-STAGE) 発行年： 2012年
JST資料番号： L1370A ISSN： 0916-8524 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

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低温の磁気伝導度測定値[1]の弱局在/反局在分析から, (001) InP格子マッチIn_0.52Al_0.48As/In_0.53Ga_0.47As(10nm)/In_0.52Al_0.48As ¥(InGaAs/InAlAs) 量子井戸に対して,最近,イントリンシック・スピン軌道(SO)パラメータの値を決定した。そして,インジウム・ガリウム・砒素/InAlAs系の二重QWシステムのためにShubnikov de Haas(SdH)発振におけるビーティングからサブバンドエネルギースペクトルを研究した。ここで二重QWシステムに対して得られた基本特性は,スピン軌道相互作用に基づく非磁気スピンフィルタデバイスを実現するために役に立つ情報を提供する。(翻訳著者抄録)

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引用文献 (10件)：

FANIEL, S. Determination of spin-orbit coefficients in semiconductor quantum wells. Phys. Rev. B. 2011, 83, "115309-1"-"115309-7"
KOGA, T. Spin-filter device based on the rashba effect using a nonmagnetic resonant tunneling diode. Phys. Rev. Lett. 2002, 88, "126601-1"-"126601-4"
RASHBA, E. I. Fiz. Tverd. Tela. 1960, 2
BYCHKOV, Y. A. J. Phys. C. 1984, 17, 6039
NITTA, J. Gate control of spin-orbit interaction in an inverted In_<0.53>Ga_<0.47>As/In_<0.52>Al_<0.48> As heterostructure. Phys. Rev. Lett. 1997, 78, 1335-1338

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