文献

J-GLOBAL ID：201202260076031320   整理番号：12A0579351

水溶液処理したフッ素ドープ酸化亜鉛スズ(ZTO:F)トランジスタのバイアス-温度-イルミネーションの安定性

Bias-Temperature-Illumination Stability of Aqueous Solution Processed Fluorine Doped Zinc Tin Oxide (ZTO:F) Transistor

著者 (3件)： JEON Jun-Hyuck (KAIST, Daejeon, KOR) ,  HWANG Young Hwan (KAIST, Daejeon, KOR) ,  BAE Byeong-Soo (KAIST, Daejeon, KOR)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 15  号： 4  ページ： H123-H125  発行年： 2012年 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,金属フッ化物前駆体を使用した350°Cでの水溶液過程(ゾル-ゲル法)を適用して,11.52cm²/Vsの非常に高い移動度を有するフッ素ドープ酸化亜鉛スズ(ZTO:F) TFT(薄膜トランジスタ)を作製した。また,得られたZTO:F TFTは,10⁷のオン-オフ電流比および0.76V/decの低いサブ閾値スイングを示した。さらに,著者らは,適切なパターン形成および不動態化過程の適用の結果としてのZTO:F TFTのバイアス-温度-イルミネーション-ストレス安定性を観測した。

シソーラス用語： *スズ化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化物 ,  *薄膜トランジスタ ,  バイアス ,  照明 ,  水溶液 ,  ゾル-ゲル法 ,  光照射 ,  前駆体 ,  移動度 ,  *フッ素 ,  ドーピング ,  パターン形成 ,  不動態化 ,  電流電圧特性 ,  X線光電子スペクトル
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  ゲート電圧 ,  サブ閾値 ,  スイッチング電流比 ,  ストレス耐性 ,  ドレイン電流 ,  フッ化亜鉛 ,  温度ストレス ,  温度安定性 ,  光ストレス ,  *酸化亜鉛スズ ,  酸化物薄膜 ,  電圧ストレス ,  溶液処理

分類 (3件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 水溶液 ,  フッ素 ,  ドープ ,  酸化亜鉛スズ ,  トランジスタ ,  バイアス ,  イルミネーション ,  安定性