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J-GLOBAL ID：201202260091146680   整理番号：12A0236979

完全導体多角形断面筒によるTM散乱:二次エッジ挙動までの新しい表面電流密度拡大維持

TM Scattering by Perfectly Conducting Polygonal Cross-Section Cylinders: A New Surface Current Density Expansion Retaining up to the Second-Order Edge Behavior

著者 (3件)： COLUCCINI Giulia (Univ. Cassino, Cassino, ITA) ,  LUCIDO Mario (Univ. Cassino, Cassino, ITA) ,  PANARIELLO Gaetano (Univ. Cassino, Cassino, ITA)
資料名： IEEE Transactions on Antennas and Propagation  (IEEE Transactions on Antennas and Propagation)
巻： 60  号： 1  ページ： 407-412  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： C0218A  ISSN： 0018-926X  CODEN： IETPAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ウェッジをもつ物体による散乱の解析においてエッジの電磁場挙動はキー的な役割を演じている。それは,解の高速評価が解の属する必要のある空間に対する機能空間の選択に依存するからである。本論文では,完全導体多角形断面筒によるTM(接線磁場)散乱の解析につき報告した。本解析では,最初の二項目だけが特異性の再構成において応答可能であり,拡大の残留部分が理論的二次エッジ挙動を因子化する,表面電流密度のための新しい拡大基盤を導入した。報告の数値結果は,一つ以上の予測特異性が予想に反し消滅し,筆者らの前研究で提案された解を常に性能で上回る場合でも提案の拡大が高速収束することを示した。さらに,新しい拡大は拡大関数のいかなる固定数に対しても大幅に低い計算時間を保証した。

シソーラス用語： *完全導体 ,  *多角形 ,  中空体 ,  *電磁波散乱 ,  端部 ,  表面電流 ,  電流密度 ,  収束 ,  CPU時間
準シソーラス用語： エッジ ,  角筒 ,  計算時間 ,  収束速度

分類 (2件)： 電磁気学一般  (BD01020N) ,  導体材料  (NA04020L)

タイトルに関連する用語 (8件)： 完全導体 ,  多角形断面 ,  Tm ,  散乱 ,  エッジ ,  挙動 ,  電流密度 ,  拡大