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J-GLOBAL ID：201202260223427609   整理番号：12A1405182

無添加n型およびp型In₂O₃薄膜におけるd⁰強磁性

d⁰ ferromagnetism in undoped n and p-type In₂O₃ films

著者 (3件)： SUN Shaohua (Dep. of Applied Physics, Inst. of Advanced Materials Physics, Tianjin Key Lab. of Low Dimensional Materials Physics ...) ,  WU Ping (Dep. of Applied Physics, Inst. of Advanced Materials Physics, Tianjin Key Lab. of Low Dimensional Materials Physics ...) ,  XING Pengfei (Dep. of Applied Physics, Inst. of Advanced Materials Physics, Tianjin Key Lab. of Low Dimensional Materials Physics ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 13  ページ： 132417-132417-4  発行年： 2012年09月24日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温d⁰強磁性を有する無添加酸化インジウム薄膜を,異なるO₂/Ar流束比でのrfマグネトロンスパッタリングによって調製した。酸素流束の増大と共に,光学的性質および磁気的性質は非単調に変化した。この流束比が15:15に達すると,n型からp型への電気伝導率の変換を観測した。構造特性,電気的性質,光学的性質および磁気的性質における調和した結果は,単一イオン化酸素およびインジウム空格子点が,それぞれn型およびp型In₂O₃薄膜での強磁性の媒介において決定的な役割を果たすことを示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  N型半導体 ,  P型半導体 ,  *半導体薄膜 ,  *酸化インジウム ,  *強磁性 ,  スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  電気伝導率 ,  スペクトル ,  空格子点 ,  インジウム ,  アニオン
準シソーラス用語： 光透過スペクトル ,  酸素イオン

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (2件)： 薄膜 ,  強磁性