SiC動力MOSFETにおける電荷トラッピング,及び堅牢な信頼性試験のための結果

文献

J-GLOBAL ID：201202260230040310 整理番号：12A1006223

Charge Trapping in SiC Power MOSFETs and its Consequences for Robust Reliability Testing

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巻： 717/720 号： Pt.2 ページ： 1085-1088 発行年： 2012年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：スイス (CHE) 言語：英語 (EN)

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