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J-GLOBAL ID:201202260274722281   整理番号:12A0363849

Raman分光とIR技術を用いたCdZnTe結晶材料中のTe包含物の研究

Investigation of Te inclusions in CdZnTe crystalline material using Raman spectroscopy and IR techniques
著者 (6件):
資料名:
巻: 86  号:ページ: 1003-1006  発行年: 2012年02月08日 
JST資料番号: E0347A  ISSN: 0042-207X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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IR像によって,CdZnTe結晶材料中には,正方形,長方形,及び三角形形状のTe包含物が存在することを明らかにした。Teリッチの体積が83ppmまで増加する間に,5μmサイズ以上のTe包含物の密度は2.27×103cm-2から4.52×105cm-2へと鋭く増加し,その結果のIR透過度は~60.5%から~55%へと減少した。Ramanスペクトルは262.5cm-1にあるピークの起源はTe包含物のA1対称とE対称をもつ2次フォノンの可能性を示唆した。TeリッチCdZnTeウエハ中の三角形のTe包含物のピークは高エネルギー側にシフトし,Te包含物の周りに圧縮応力が存在することを示唆した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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半導体の結晶成長  ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル 

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