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J-GLOBAL ID：201202260568530208   整理番号：12A0607572

電源電流を用いたDSM LSIの評価技術の変遷

Transition of Evaluation Technology of DSM LSI by Using VDD Supply Current

著者 (1件)： 眞田克 (高知工科大学システム工学群電子工学専攻)
資料名： Fundamentals Review (Web)  (Fundamentals Review (Web))
巻： 5  号： 4  ページ： 293-301 (J-STAGE)  発行年： 2012年 
JST資料番号： U0221A  ISSN： 1882-0875  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 水道管からの水漏れと同じくLSIも欠陥箇所を介して電流が漏れ出し故障に至らしめる.この漏れ電流現象はLSIを評価する重要なパラメータの一つである.しかしながらDSM(Deep Sub-Micron)化に伴うデバイス技術の進展は電流値を用いた評価を困難とした.この問題を克服すべく,テスト技術は統計処理による正常/異常値間の差分の顕在化による識別法更には電源電流の波形の相関比較やフーリエ変換による数理処理により異常の有/無を顕在化する技術が開発されている.故障診断技術は漏れ電流の特徴を用い,論理情報と組み合わせることで簡易で高精度に故障候補を特定する技術の開発で評価技術の向上が図られている.(著者抄録)

シソーラス用語： *LSI【IC】 ,  *サブミクロン加工 ,  *故障診断 ,  *漏れ電流 ,  *CMOS構造 ,  NOT回路 ,  テストパターン ,  短絡【電気】 ,  歩留り ,  順序回路 ,  故障モード ,  発熱 ,  波形解析 ,  故障率 ,  レイアウト ,  故障解析 ,  故障点標定
準シソーラス用語： ディープサブミクロン加工

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (16件)：

• (1)眞田 克, “I_DDQを用いたCMOS-LSIのテスティング・故障解析・故障診断,”日本信頼性学会誌, vol. 24, no. 8, pp. 711–729, Nov. 2002.
• (2)LSIテスティングハンドブック, LSIテスティング学会(編), pp. 17–22, オーム社, 東京, 2008.
• (3)P. Maxwell, I. Hartanto, and L. Sentz, “Comparing functional and structural tests,” International Test Conference, pp. 400–407, Atlantic City, NJ, USA, Oct. 2000.
• (4)M. Sanada, “Evaluation and detection of CMOS-LSI with abnormal I_DDQ,” Microelectron. Reliab., vol. 35, no. 3, pp. 619–629, March 1995.
• (5)P. Maxwel, “The use of I_DDQ testing in low stuck-at coverage situations,” VLSI Test Symposium, pp. 84–88, Princeton, New Jersey, USA, April–May 1995.

タイトルに関連する用語 (3件)： DSM ,  LSI ,  評価