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J-GLOBAL ID:201202260645229320   整理番号:12A0094937

フルホイスラーCoFeAlSi合金粒状膜の大きなトンネル磁気抵抗

Large Tunnel Magnetoresistance of Full-Heusler CoFeAlSi Alloy Granular Films
著者 (4件):
資料名:
巻: 50  号: 12  ページ: 123001.1-123001.3  発行年: 2011年12月25日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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フルホイスラーCoFeAlSi(CFAS)-Al2O3粒状膜のトンネル磁気抵抗(TMR)と構造が研究された。膜の大半が673Kでアニール後の不連続層内に有る事が発見された。約18%の最大MR比が8kOeの磁界のもとの室温で得られた。膜のX線回折パターンが約45°のCFAS(220)及び又はMgO(200)の弱いピーク,そして20-30°の範囲に2つのピークを持つhalo状パターンを示した。これらの結果は観察された高MR比が高スピン分極による粒の存在に関係する事を提案する。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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その他の無機化合物の電気伝導 
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