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J-GLOBAL ID：201202260788179986   整理番号：12A0104139

酸素とフッ素の吸着によるInAs(111)A表面の電気的性質の変化

Change in the electronic properties of an InAs (111)A surface at oxygen and fluorine adsorption

著者 (7件)： EREMEEV S. V. (Russian Acad. of Sciences, Inst. of Strength Physics and Materials Sci., Siberian Branch, 634021, Tomsk, RUS) ,  EREMEEV S. V. (Tomsk State Univ., 634050, Tomsk, RUS) ,  VALISHEVA N. A. (Russian Acad. of Sciences, Inst. of Semiconductor Physics, Siberian Branch, 630090, Novosibirsk, RUS) ,  TERESHCHENKO O. E. (Russian Acad. of Sciences, Inst. of Semiconductor Physics, Siberian Branch, 630090, Novosibirsk, RUS) ,  TERESHCHENKO O. E. (Novosibirsk State Univ., 630090, RUS) ,  KULKOVA S. E. (Russian Acad. of Sciences, Inst. of Strength Physics and Materials Sci., Siberian Branch, 634021, Tomsk, RUS) ,  KULKOVA S. E. (Tomsk State Univ., 634050, Tomsk, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 46  号： 1  ページ： 49-55  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ab initio計算を用いて,再構成(2×2)および非再構成(1×1)InAs(111)A表面上の酸素とフッ素の吸着を調べた。最も安定な吸着位置を求めた。両表面に対する酸素の吸着は,バンドギャップ内に電子状態を引き起こす。InAs(111)A(2×2)表面上の酸素吸着に対する容易位置は,表面層内の酸素がインジウムとヒ素原子と結合する場所,および,3つのインジウム原子間の空サイト(インジウム空洞位置)であった。フッ素の吸着は表面状態をバンドギャップ外へ押し出す。インジウム原子(インジウムトップ位置)の上の位置が吸着フッ素の好む位置であった。InAs(111)A(1×1)表面上の吸着フッ素は,インジウムのp軌道により形成される表面状態を除去し,Fermi準位の脱ピン止めを引き起こした。Copyright 2012 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 電気的性質 ,  *ヒ化インジウム ,  *吸着 ,  フッ素 ,  酸素 ,  表面再構成 ,  バンドギャップ ,  ピン止め ,  *計算
準シソーラス用語： *InAs ,  脱ピン止め ,  *ab initio計算

分類 (1件)： 吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸素 ,  フッ素 ,  吸着 ,  InAs ,  電気的性質