EREMEEV S. V. について
Russian Acad. of Sciences, Inst. of Strength Physics and Materials Sci., Siberian Branch, 634021, Tomsk, RUS について
EREMEEV S. V. について
Tomsk State Univ., 634050, Tomsk, RUS について
VALISHEVA N. A. について
Russian Acad. of Sciences, Inst. of Semiconductor Physics, Siberian Branch, 630090, Novosibirsk, RUS について
TERESHCHENKO O. E. について
Russian Acad. of Sciences, Inst. of Semiconductor Physics, Siberian Branch, 630090, Novosibirsk, RUS について
TERESHCHENKO O. E. について
Novosibirsk State Univ., 630090, RUS について
KULKOVA S. E. について
Russian Acad. of Sciences, Inst. of Strength Physics and Materials Sci., Siberian Branch, 634021, Tomsk, RUS について
KULKOVA S. E. について
Tomsk State Univ., 634050, Tomsk, RUS について
Semiconductors について
電気的性質 について
ヒ化インジウム について
吸着 について
フッ素 について
酸素 について
表面再構成 について
バンドギャップ について
ピン止め について
計算 について
InAs について
脱ピン止め について
ab initio計算 について
吸着の電子論 について
酸素 について
フッ素 について
吸着 について
InAs について
電気的性質 について