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J-GLOBAL ID：201202261093117765   整理番号：12A1676376

二層グラフェンにおける最低Landau準位の相図

Phase Diagram of the Lowest Landau Level in Bilayer Graphene

著者 (5件)： GORBAR E.V. (Taras Shevchenko National Kiev Univ., Kiev, UKR) ,  GORBAR E.V. (Bogolyubov Inst. Theoretical Physics, Kiev, UKR) ,  GUSYNIN V.P. (Bogolyubov Inst. Theoretical Physics, Kiev, UKR) ,  JIA Junji (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MIRANSKY V.A. (Univ. Western Ontario, Ontario, CAN)
資料名： Progress of Theoretical Physics. Supplement  (Progress of Theoretical Physics. Supplement)
号： 197  ページ： 107-127  発行年： 2012年11月07日 
JST資料番号： Z0965A  ISSN： 0375-9687  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ランダム位相近似でギャップ方程式を解くことにより,二層グラフェンにおける最低Landau準位の充填因子ν=0,±1,±2,±3を持つ破れた対称性の量子Hall(QH)状態を分析した。電場と磁場の平面において,ν=0でスピンと層の偏極相を分離する臨界線はν=±1のQH状態に広がることを示した。ν=±1,±3,及びν=±2のQH状態におけるギャップの振幅は,n=0とn=1の軌道Landau準位の分離充填とHartree項の負の寄与に起因してν=0のギャップの振幅よりかなり小さい。凝縮が量子化されないこれらの外部電場の値はギャップの極小に対応することを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *グラファイト ,  Landau準位 ,  エネルギーギャップ ,  ランダム位相近似 ,  *量子Hall効果 ,  *状態図 ,  Zeeman効果 ,  電場 ,  外部磁場
準シソーラス用語： *二層グラフェン ,  ギャップ方程式

分類 (1件)： 電子輸送の一般理論  (BM03020C)

引用文献 (60件)：

• NOVOSELOV, K. S. Science. 2004, 306, 666
• SEMENOFF, G. W. Phys. Rev. Lett. 1984, 53, 2449
• GORBAR, E. V. Phys. Rev. D. 2001, 64, 105028
• KHVESHCHENKO, D. V. Phys. Rev. Lett. 2001, 87, 206401
• GORBAR, E. V. Phys. Rev. B. 2002, 66, 045108

タイトルに関連する用語 (3件)： 二層グラフェン ,  Landau準位 ,  相図