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J-GLOBAL ID:201202261321478056   整理番号:12A0121710

半導体利得媒質を用いたプラズモン導波路中の損失補償の実用性

Practicality of compensating the loss in the plasmonic waveguides using semiconductor gain medium
著者 (2件):
資料名:
巻: 100  号:ページ: 011105  発行年: 2012年01月02日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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プラズモン導波路中の損失を半導体利得物質を用いて補償する問題を考察し,特異な幾何形状に無関係に,プラズモン導波路中の損失を,有意なサブ波長光閉込め(≦λ/4n)で完全に補償するには,100kA/cm2を十分に超える電流密度を必要とすることを示した。この高い電流密度はサブ波長閉込めに固有のPurcell効果により生じる再結合時間の不可避な短縮に起因する。従って,全三次元で真にサブ波長である注入ポンプ型プラズモンレーザ(「spaser」)は,考え得るあらゆる半導体素子で得ることが困難な閾値電流密度を有すると考えられる。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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光導波路,光ファイバ,繊維光学 
タイトルに関連する用語 (4件):
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