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J-GLOBAL ID：201202261449590410   整理番号：12A0992109

「Super J-MOS」低損失超接合MOSFET

“Super J-MOS” Low Power Loss Superjunction MOSFETs

著者 (3件)： TAMURA Takahiro (Fuji Electric Co., Ltd.) ,  SAWADA Mutsumi (Fuji Electric Co., Ltd.) ,  SHIMATO Takayuki (Fuji Electric Co., Ltd.)
資料名： Fuji Electric Review  (Fuji Electric Review)
巻： 58  号： 2  ページ： 79-82  発行年： 2012年05月20日 
JST資料番号： S0167A  ISSN： 0429-8284  CODEN： FUERB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電力変換機器の高効率化・低損失化を進めるにはスイッチングデバイスとして使用するパワー半導体の損失低減が必要である。本稿では,SJ(超接合)-MOSFETの表面構造を最適化することにより,スイッチング損失を低減した「Super J-MOS」の開発について報告した。ゲート長とチャネル濃度を調整してゲート・ドレイン容量としきい値電圧を最適化し,ターンオフ損失を低減した。定格600V/20A/0.19Ωの素子において,ターンオフ時のドレイン・ソース電圧の時間変化であるターンオフdV/dT=10kV/μsでのターンオフ損失は160μJとなり,極めて高水準の値を実現した。素子の電源効率は94%以上であり,80PLUS認証を満たしている。

シソーラス用語： *電力変換器 ,  スイッチング素子 ,  電力トランジスタ ,  効率化 ,  スイッチング損失 ,  *MOSFET ,  *半導体接合 ,  表面構造
準シソーラス用語： パワーMOSFET ,  *超接合

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  電力変換器  (NB08030B)

引用文献 (6件)：

• (1) Fujihira, T.Theory of Semiconductor Superjunction Devices,"Jpn. J. Appl. Phys., 1997, vol.36, p.6254-6262.
• (2) Deboy, G. et al."A New Generation of High Voltage MOSFETs Breaks the Limit Line of Silicon," Proc. IEDM, 1998, p.683-685.
• (3) Onishi, Y. et al."24 mΩcm² 680 V Silicon Superjunction MOSFET,"Proc. ISPSD' 02, 2002,p.241-244.
• (4) Saito, W. et al."A 15.5 mΩcm²-680 V Superjunction MOSFET Reduced On-Resistance by Lateral Pitch Narrowing,"Proc. ISPSD' 06, 2006, p.293-296.
• (5) Baliga, B. J. Modern Power Devices, John Wiley & Sons, Inc., 1987, p.305-314.

タイトルに関連する用語 (4件)： MOS ,  低損失 ,  超接合 ,  MOSFET