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J-GLOBAL ID：201202261495411767   整理番号：12A0098010

ダイヤモンド状カーボン膜成長のための高出力インパルスマグネトロンスパッタリングの可能性の解明

Exploring the potential of high power impulse magnetron sputtering for growth of diamond-like carbon films

著者 (7件)： SARAKINOS K. ,  BRAUN A. ,  ZILKENS C. ,  MRAZ S. ,  SCHNEIDER J.m. ,  ZOUBOS H. ,  PATSALAS P.
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 206  号： 10  ページ： 2706-2710  発行年： 2012年01月25日 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高出力インパルスマグネトロンスパッタリング(HiPIMS)を採用して,250Hzおよび1kHzのパルス周波数で非晶質炭素膜を堆積した。参照のために,直流マグネトロンスパッタリング(dcMS)によっても膜を堆積した。HiPIMSおよびdcMS両方の場合,基板に150Vまでの単極パルス負のバイアス電圧を印加して,成長膜を照射する正に帯電したイオンのエネルギーを調節した。プラズマ分析は,dcMSと比較して,HiPIMSが大きい平均エネルギーを有する多数のイオンを生成することを明らかにした。同時に,プラズマ組成は,すべての堆積条件において主要なイオン種であるAr⁺イオンに影響されない。膜特性の分析は,sp³結合分率が45%までの,そして密度が2.2gcm^-3までの非晶質炭素膜の成長をHiPIMSが可能にすることを明らかにした。dcMSにより達成された対応する値は,それぞれ30%および2.05gcm^-3である。HiPIMSによって成長した膜に認められたsp³結合の高い分率と密度は,dcMSの場合と比較してHiPIMS放電により与えられたより強いイオン照射により説明された。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *DLC膜 ,  *薄膜成長 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  出力 ,  衝撃 ,  炭素材 ,  非晶質 ,  炭素 ,  薄膜 ,  直流 ,  *スパッタ蒸着 ,  基板 ,  ケイ素 ,  電圧 ,  バイアス ,  イオン化 ,  *高出力 ,  *炭素膜 ,  *力積 ,  *アモルファスカーボン
準シソーラス用語： *インパルス ,  HiPIMS ,  *非晶質炭素 ,  MS【スパッタリング】 ,  dcMS ,  バイアス電圧 ,  イオン化蒸着

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： ダイヤモンド状カーボン ,  膜成長 ,  高出力 ,  インパルス ,  マグネトロンスパッタリング ,  可能性