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J-GLOBAL ID：201202261548951408   整理番号：12A1053116

多層安定化アモルファスセレンを用いた光伝導性X線検出器における暗電流

Dark current in multilayer stabilized amorphous selenium based photoconductive x-ray detectors

著者 (6件)： FREY Joel B. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Saskatchewan, 57 Campus Drive, Saskatoon, Saskatchewan S7N 5A9 ...) ,  BELEV George (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Saskatchewan, 57 Campus Drive, Saskatoon, Saskatchewan S7N 5A9 ...) ,  TOUSIGNANT Olivier (Anrad Corp., 4950 rue Levy, Saint-Laurent, Quebec H4R 2P1, CAN) ,  MANI Habib (Anrad Corp., 4950 rue Levy, Saint-Laurent, Quebec H4R 2P1, CAN) ,  LAPERRIERE Luc (Anrad Corp., 4950 rue Levy, Saint-Laurent, Quebec H4R 2P1, CAN) ,  KASAP Safa O. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Saskatchewan, 57 Campus Drive, Saskatoon, Saskatchewan S7N 5A9 ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 1  ページ： 014502-014502-9  発行年： 2012年07月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n-i-p構造アモルファスセレン膜における暗電流が,一定の厚さのブロッキング層を持つ試料のi層の厚さに依存しないことを示す実験結果について報告する。しかしながら,n層の厚さと選んだ正の接触金属に対する強い依存性が観測された。これらの結果は,暗電流の主要な起源は接触からのキャリア注入であり,光伝導層のバルク中に熱的に発生したキャリアからのいかなる寄与も無視できることを示している。この結論は,Schottky障壁を越えるキャリア放出のみを仮定したモデルによる異なる印加電場での過渡的暗電流の記述によっても確認された。このモデルによって,初めは正孔注入が支配的であるが,バイアスを印加していくらか時間が経過した後,電子注入が暗電流源として支配的になることも予想した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *放射線検出器 ,  *暗電流 ,  セレン ,  非晶質 ,  キャリア注入 ,  Schottky障壁 ,  *X線検出器
準シソーラス用語： アモルファス

分類 (1件)： 放射線検出・検出器  (AD08020J)

タイトルに関連する用語 (6件)： 多層 ,  安定化 ,  アモルファス ,  セレン ,  X線検出器 ,  暗電流