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J-GLOBAL ID：201202261592335200   整理番号：12A1166965

Siナノリップル:成長動力学研究

Si nanoripples: A growth dynamical study

著者 (6件)： DHILLON Prabhjeet Kaur (Dep. of Physics, Indian Inst. of Technol. Ropar, Nangal Road, Rupnagar, Punjab, 140001 India) ,  SARKAR Subhendu (Dep. of Physics, Indian Inst. of Technol. Ropar, Nangal Road, Rupnagar, Punjab, 140001 India) ,  FRANQUET Alexis (IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  MOUSSA Alain (IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  VANDERVORST Wilfried (IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  VANDERVORST Wilfried (Inst. voor Kern-en Stralingsfysica, K. U. Leuven, Celestijnenlaan 20D B-3001 Leuven, BEL)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 24  ページ： 9579-9583  発行年： 2012年10月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(100)表面を1keV O₂⁺イオンビームを用いて物理的に侵食し,得られた表面を原子間力顕微鏡(AFM)により研究した。データを動的スケーリング理論の枠組み内で分析した。結果は,表面でのリップルの展開中に二つの成長領域を示した。不安定な第一の成長領域は,約35分間続き,指数関数的成長指数を示した。第二の成長領域は,この時間の後に始まり,0.38のべき指数を示した。しかし,全衝撃時間中,得られたAFM画像のパワースペクトルピーク幅から導いた単一粗化べき指数を観測した。リップル振幅は,指数関数的増加を示し,理論と一致した。粗さ測定は,スパッタ収率変動の遷移領域及びリップル形成の開始を明確に示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *表面構造 ,  *浸食 ,  顕微鏡観察 ,  スケーリング【計数】 ,  指数関数 ,  表面処理 ,  *表面粗さ ,  *イオンビームスパッタリング ,  酸素 ,  表面改質
準シソーラス用語： 原子間力顕微鏡法 ,  *シリコン ,  ナノリップル

分類 (2件)： スパッタリング  (BK16110U) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  ナノリップル ,  成長 ,  動力学 ,  研究