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J-GLOBAL ID:201202261602449411   整理番号:12A1095583

触媒無し成長による3元系Zn-Sn-O半導体ナノワイヤの形態と光学特性

Morphology and optical properties of ternary Zn-Sn-O semiconductor nanowires with catalyst-free growth
著者 (5件):
資料名:
巻: 537  ページ: 111-116  発行年: 2012年10月05日 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,金属触媒無しの熱蒸発法を用いる,種々の形態を持つZn2SnO4(ZTO)ナノワイヤの合成について報告した。X線回折図から,調製したままのZTOナノワイヤは面心立方スピネル相であることが示された。走査型電子顕微鏡像から,合成したままのナノワイヤは種々の形態を持ち,観察領域を均一に覆っていることが示された。高分解能透過型電子顕微鏡観察から,これらのZTOナノワイヤは4つの形態からなる単結晶の微細構造を持つことが明らかとなった。低温カソードルミネッセンス(CL)測定の結果から,合成したままの単一ナノワイヤでは酸素空孔と格子間酸素原子の結晶欠陥がそれぞれ青緑及び黄橙発光に寄与していると思われた。本研究では,単一ZTOナノワイヤのCL特性に及ぼす酸素リッチ及び還元雰囲気下での熱処理の効果についても議論した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
分類
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セラミック・陶磁器の製造  ,  酸化物の結晶成長  ,  半導体のルミネセンス 

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