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J-GLOBAL ID：201202261612731735   整理番号：12A0162637

青色EL要素用SrS:Cu膜の段階アニーリング効果

A step annealing effect of SrS:Cu films for blue EL elements

著者 (2件)： ISAI Masaaki (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  KATO Suguru (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名： Transactions of the Materials Research Society of Japan  (Transactions of the Materials Research Society of Japan)
巻： 36  号： 4  ページ： 611-614  発行年： 2011年12月 
JST資料番号： L4468A  ISSN： 1382-3469  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高強度の青色ELエレメントを作製するために,その結晶性に及ぼすSrS:Cu ELエレメントの段階的アニーリングの効果を調べた。SrSとCu2Sドーパント粉末を混合,ペレット化して,600°Cで1h焼結してSrS:Cuを作製し,これをSi基板上に電子ビーム蒸着により厚み約7000ÅのSrS:Cu薄膜を,基板温度300°Cで真空蒸着して得た。蒸着膜は,急速熱アニール(RTA)法によりアニール温度700,750および800°C,アニール時間60分でアニールし,PLおよびX線回折からその結晶性に及ぼす効果を調べた。その結果,最大のPLピークを得るためには,750°Cの最大温度が最も効果的であることが分かった。また,600°Cでアニール時間を5~60分と変えて調べた結果,45ないしは60分のアニール時間も大きなPLピークを得るには有効であった。

シソーラス用語： 半導体素子 ,  ストロンチウム化合物 ,  硫化物 ,  *硫化銅 ,  ドーピング ,  焼結 ,  基板 ,  ケイ素 ,  電子ビーム蒸着 ,  *蒸着膜 ,  *半導体薄膜 ,  焼なまし ,  *温度依存性 ,  時間依存性 ,  *光ルミネセンス ,  *硫化ストロンチウム
準シソーラス用語： *EL素子 ,  *アニール ,  温度効果

分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (17件)：

• 1. T. Inoguchi, M. Tanaka, Y. Kakihara, Y. Nakata, and M. Yoshida, Digets of the 1974 SID International Symposium, p.84(1974).
• 2. N. Miura, M. Kawanishi, H. Matsumoto, and R. Nakano, Jpn.J.Appl.Phys. 38,L1291-1292(1999).
• 3. S.-S. Sun, E. Dickey, J. Kane, and P. N. Yocom, Conference Record of the Int. Display Con. Rec. Toronto, p.301(1974).
• 4. J. Kane, W. E. Harty, M. Ling and P. N. Yocom, SID '85 Digest, p.163(1985).
• 5. S. Tanaka, V. Shanker, M.Shiiki, H. Deguchi and H. Kobayashi, SID '85 Digest, pp.218-221(1985).

タイトルに関連する用語 (7件)： 青色 ,  EL ,  要素 ,  SRS ,  Cu ,  段階 ,  アニーリング効果