文献

J-GLOBAL ID：201202261708560397   整理番号：12A1598973

世界的な競争領域にある最先端デバイス技術 2.不揮発性メモリ技術の最前線 2-1 限界に挑戦するフラッシュメモリとSSDの最新動向

著者 (1件)： 竹内健 (中央大 理工)
資料名： 電子情報通信学会誌  (Journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
巻： 95  号： 11  ページ： 979-985  発行年： 2012年11月01日 
JST資料番号： F0019A  ISSN： 0913-5693  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： NAND形フラッシュメモリはディジタルカメラ・携帯電話・音楽プレーヤ等の携帯デバイスの記憶媒体として使用されている。更に,フラッシュメモリ・NANDコントローラ・DRAMで構成されるソリッドステートドライブ(SSD)として,パソコンやデータセンターのサーバなどのHDDを置き換え,消費電力が少なく地球環境に優しいITシステムを実現することが期待されている。フラッシュメモリは現在20nm技術により64Gbitまで大容量化されているが,データセンターではTbit以上の大容量が必要とされ,フラッシュメモリのより一層の低消費電力化・高信頼性化・大容量化が求められている。本稿ではフラッシュメモリ及びSSDの現状と将来動向を紹介する。(著者抄録)

シソーラス用語： *技術展望 ,  競争力 ,  不揮発性メモリ ,  *フラッシュメモリ ,  *駆動機構
準シソーラス用語： 国際競争力 ,  *SSD

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (16件)：

• TAKEUCHI, K. NAND successful as a media for SSD. ISSCC Tutorial. 2008
• TAKEUCHI, K. A 56 nm CMOS 99 mm^2 8 Gb multi-level NAND flash memory with 10 Mbyte/sec program throughput. ISSCC, 2006. 2006, 144-145
• NARUKE, K. Stress induced leakage current limiting to scale down EEPROM tunnel oxide thickness. IEDM, 1988. 1988, 424-427
• LEE, J. D. A new programming disturbance phenomenon in NAND flash memory by source/drain hot-electrons generated by GIDL current. NVSMW, 2006. 2006, 31-33
• KANDA, K. A 120 mm^2 16 Gb 4-MLC NAND flash memory with 43 nm CMOS technology. ISSCC, 2008. 2008, 430-431

タイトルに関連する用語 (8件)： 世界 ,  競争 ,  最先端 ,  不揮発性メモリ ,  限界 ,  フラッシュメモリ ,  SSD ,  最新動向