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J-GLOBAL ID：201202261763634537   整理番号：12A0098052

RF反応性マグネトロン同時スパッタリングにより成長させたCdドープSnO₂薄膜の構造的,光学的及び電気的特性

Structural, optical and electrical properties of Cd-doped SnO₂ thin films grown by RF reactive magnetron co-sputtering

著者 (7件)： DE MOURE-FLORES F. (Physics Dep., CINVESTAV-IPN, Apdo. Postal 14-740, Mexico D.F. 07000, MEX) ,  QUINONES-GALVAN J.g. (Physics Dep., CINVESTAV-IPN, Apdo. Postal 14-740, Mexico D.F. 07000, MEX) ,  HERNANDEZ-HERNANDEZ A. (Physics Dep., CINVESTAV-IPN, Apdo. Postal 14-740, Mexico D.F. 07000, MEX) ,  GUILLEN-CERVANTES A. (Physics Dep., CINVESTAV-IPN, Apdo. Postal 14-740, Mexico D.F. 07000, MEX) ,  SANTANA-ARANDA M.a. (Univ Guadalajara, CUCEI, Dept Fis, Guadalajara 44430, Jalisco, MEX) ,  OLVERA M. de la L. (Electrical Engineering Dep., Solid State Section, CINVESTAV-IPN, Apdo. Postal 14-740, Mexico D.F. 07000, MEX) ,  MELENDEZ-LIRA M. (Physics Dep., CINVESTAV-IPN, Apdo. Postal 14-740, Mexico D.F. 07000, MEX)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 7  ページ： 2459-2463  発行年： 2012年01月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透明導電SnO₂:Cd薄膜を,CdOをカドミウム源とし,500°Cの基板温度でガラススライド上にRF反応性マグネトロン同時スパッタリングにより作製した。膜は,アルゴン/酸素の混合雰囲気中で堆積した。構造的,光学的及び電気的特性をターゲット中のCd量の関数として分析した。X線回折は,SnO₂の正方晶系と斜方晶系の双方の相の多結晶膜が成長したことを示した。得られた膜は,高い透明度と導電性を有した。SnO₂膜の性能指数は10^-3Ω^-1の桁で,これらの膜が透明電極候補とみなすことができた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *カドミウム ,  *ドーピング ,  *酸化スズ ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *透明導電膜 ,  反応性スパッタリング ,  マグネトロンスパッタリング ,  同時蒸着 ,  *スパッタ蒸着 ,  X線回折 ,  正方晶系 ,  斜方晶系 ,  多結晶 ,  透過率 ,  *光学定数 ,  *電気伝導率

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (10件)： RF ,  反応性 ,  マグネトロン ,  同時スパッタリング ,  成長 ,  Cd ,  ドープ ,  薄膜 ,  光学 ,  電気的特性