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J-GLOBAL ID：201202261770029649   整理番号：12A1523351

グラフェンによるプラズモン共鳴の電気的に調整可能なダンピング

Electrically Tunable Damping of Plasmonic Resonances with Graphene

著者 (7件)： EMANI Naresh K. (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  CHUNG Ting-Fung (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  NI Xingjie (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  KILDISHEV Alexander V. (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  CHEN Yong P. (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  BOLTASSEVA Alexandra (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  BOLTASSEVA Alexandra (Technical Univ. Denmark, Lyngby, DNK)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 10  ページ： 5202-5206  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンのプラズモン共鳴の電気的制御を検討した。1nm厚の導電性薄膜におけるキャリア濃度,誘電関数および光導電率,Fermiエネルギーの入射光による変化を理論計算した。酸化ケイ素/ケイ素基板上に移設したグラフェン層に金/チタン電極を蒸着してFETを作製し,グラフェンのキャリア濃度のゲート電圧による制御について検討した。-30(正孔ドーピング)~+30V(電子ドーピング)のゲート電圧により電気抵抗が顕著に変化することを確かめた。表面に蝶ネクタイ形状のアンテナアレイを形成したグラフェンシートのプラズモン共鳴がゲート電位により顕著なダンピングを示すことを実験により確かめ,計算値と比較した。

シソーラス用語： *炭素材 ,  *共鳴 ,  減衰 ,  *電圧制御 ,  薄膜 ,  キャリア密度 ,  誘電関数 ,  *光伝導 ,  Fermi準位 ,  光 ,  酸化ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  金電極 ,  電極 ,  蒸着 ,  *FET【トランジスタ】 ,  電圧 ,  ドーピング ,  電気抵抗 ,  *アレイアンテナ ,  パターン形成 ,  グラフェン
準シソーラス用語： Fermiエネルギー ,  *アンテナアレイ ,  キャリア濃度 ,  ケイ素基板 ,  ゲート電圧 ,  ダンピング【減衰】 ,  チタン電極 ,  *プラズモン共鳴 ,  光伝導度 ,  光導伝 ,  正孔ドーピング ,  電子ドーピング ,  導電性膜 ,  入射光

分類 (5件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  光導電素子  (NC03083X) ,  固体プラズマ  (BM02160W) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  固体の表面構造一般  (BK15010E)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン ,  プラズモン共鳴 ,  ダンピング